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氣動阻尼計算/葉片周期性運(yùn)動設(shè)置可導(dǎo)入并讀取葉片模態(tài)數(shù)據(jù)，基于模態(tài)數(shù)據(jù)文件指定葉片的單向震動模式，然后通過traveling wave method指定葉片的項(xiàng)目交叉以及葉片變形的旋轉(zhuǎn)方向，目前只支持瞬態(tài)仿真。.CSV格式文件處理Fluent可讀入.CSV格式文件，可自動讀入文件中單位系統(tǒng)并轉(zhuǎn)化為SI單位用于計算時使用。氣動仿真和氣膜冷卻模型也同樣支持。

3.應(yīng)用范圍：常用材料為Si， Ansys Lumerical中的相關(guān)案例為：Traveling Wave Mach-Zehnder Modulator（相關(guān)鏈接：https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042328774-Traveling-Wave-Mach-Zehnder-Modulator） 圖8：行波馬赫-曾德爾調(diào)制器

CPS SI仿真流程 典型的SI仿真流程分析分為無源通道優(yōu)化和有源鏈路仿真兩部分，有源鏈路遇到的主要問題包括： 預(yù)加重設(shè)置 均衡設(shè)置 無源鏈路需要考慮和優(yōu)化的問題包括： 高頻衰減 信號串?dāng)_ 趨膚效應(yīng) 表面粗糙度

具體來說，該器件是在由400nm厚TFLN層、3μm厚埋氧化物層和525μm厚Si襯底層組成的x-cut絕緣上鈮酸鋰（LNOI）晶圓制造的。調(diào)制部分的TFLN波導(dǎo)具有200nm的脊高和1.5μm的寬度。該設(shè)備采用光柵耦合器（GCs）作為光纖與芯片的接口，并使用多模干涉耦合器作為3dB光束分離器和合束器。圖2c,e展示了調(diào)制部分的橫截面結(jié)構(gòu)。

在許多情況下，散射到Si襯底中的光將是一個重要的損耗通道，應(yīng)該加以考慮。對于EME仿真，有幾個因素會影響收斂： 使用的 cell數(shù)量 橫向網(wǎng)格分辨率 使用的模式數(shù)量理想情況下，我們希望達(dá)到這樣的程度：增加任何這些屬性對結(jié)果的影響都微不足道。可以使用腳本自動循環(huán)不同數(shù)量的模式、cell或橫向網(wǎng)格。此外，查看前向傳播模式的系數(shù)也很有用。

基于TFLN平臺的Traveling-wave Mach–Zehnder調(diào)制器（MZM）已經(jīng)實(shí)現(xiàn)調(diào)制效率 達(dá)2.2Vcm，3dB調(diào)制帶寬達(dá)100GHz。此外，混合型TFLN-Si MZMs與相干TFLN MZMs的 值均達(dá)≈2.3Vcm。為降低微波損耗，采用容性加載慢波電極，同時保持石英基TFLN平臺的調(diào)制效率。據(jù)報道在1GHz信號頻率下 值約為2.3V·cm。

Zhu 等研究了金剛石含量對于復(fù)合材料熱導(dǎo)率的影響，利用原位反應(yīng)放電等離子燒結(jié)技術(shù)(insitu reactive spark plasma sintering, SPS)制備了硅-金剛石-碳化硅復(fù)合材料(Si-diamond-SiC)，如圖 1 所示。